ALD設備

  1. ALD設備

ALD設備簡介

本公司現有6" 100mm高度 ALD國產機台乙台及 Beneq P400量產機台乙台，歡迎合作

ALD設備簡單介紹
1. 設備核心三大系統
ALD 設備雖然外觀像個巨大的金屬櫃，但內部邏輯可拆解為以下三個部分：
  • 氣體傳送系統 (Gas Delivery System)： 這是設備的「肺部」。它包含多個前驅物鋼瓶與脈衝閥。其關鍵在於開關速度要極快且精準，確保 A 氣體與 B 氣體在反應腔內「永不相見」，僅在晶圓表面交替出現。
  • 反應腔體 (Reaction Chamber)： 這是設備的「心臟」。晶圓就在這裡進行反應。為了達成 3D 覆蓋，腔體內部的流場設計（Flow Dynamics）必須非常均勻，確保氣體能鑽進奈米級的深孔中。
  • 真空與廢氣處理 (Vacuum & Abatement)： 這是設備的「代謝系統」。每一層反應後，強大的真空幫浦會迅速抽走剩餘氣體，確保下一層反應的純淨度。
2. 設備的「衍生」型態：從實驗室到量產
根據生產需求，ALD 設備演變出幾種不同的架構型態：
單晶圓式 (Single Wafer ALD)
  • 外觀： 通常是一個中央機械手臂平台（Cluster Tool），周圍掛著數個反應艙。
  • 特性： 一次處理一片晶圓。優點是環境控制極度精確，適合最先進的邏輯晶片製程。
批次處理式 (Batch ALD)
  • 外觀： 像是一個垂直的長型烤箱（Vertical Furnace）。
  • 特性： 一次可以放進 50-100 片晶圓。雖然單片速度慢，但靠著「以量取勝」來降低平均成本，常用於 3D NAND Flash。
空間式 ALD (Spatial ALD)
  • 外觀： 晶圓在一個不斷旋轉或移動的平台上。
  • 特性： 這是最抽象的一種演進。它不靠氣體開關，而是讓晶圓物理性地移動穿過不同的「氣體區」。這讓沉積速度提升了數倍，是目前技術開發的重點。
3. 設備構造示意圖 (簡化邏輯)
我們可以將複雜的設備圖簡化為以下構造流向：
[ 前驅物 A ] ---[ 高速脈衝閥 ]--\
                                                                                                      \
[ 惰性氣體 ]                                                                ---------------------> [ 反應腔 (晶圓在此) ] ---> [ 真空幫浦 ] ---> [ 廢氣處理 ]
                                                                                                       /
[ 前驅物 B ] ---[ 高速脈衝閥 ]--/
 
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